Методы получения фуллеренов, нанотрубок

Углеродные нанокластеры - фуллерены или углеродные нанотрубки получаются в дуговом разряде, с помощью лазерного испарения или каталитическим методом с помощью применения кластеров переходных металлов.

Термическое испарение. Производится омический нагрев графитового стержня в гелии при давлении Р = 100 Торр. Углеродный конденсат собирается на стеклянный диск. Черная пудра соскабливается с диска, а затем заливается бензолом. После просушивания суспензии образовывается темно-коричневый (или почти черный) материал. Вместо бензола можно использовать также CS2, CCl4. Использование суспензии приводит к значительному увеличению относительного выхода С60. Производительность С60 до 1 г в сутки. По-видимому, бензол растворяет фуллерены из всего объема, а после высушивания бензола фуллерены оказываются на поверхности частичек сажи, что повышает их выход при облучении.

Дуговой метод. Схема получения фуллеренов дуговым методом показана на рис. 6.16. Один электрод - плоский диск, второй - заточенный стержень диаметром 6 мм, слегка прижимаемый к первому электроду с помощью пружины.

Испарение графита при оптимально слабом прижиме электродов - 10 грамм в час, получение фуллеренов - 1 грамм в час, С60/С70 = 10/1. Через некоторое время сажа соскабливается и в течение 3 часов находится в кипящем толуоле. Полученная темно-бурая жидкость выпаривается во вращающемся испарителе.

Преимущественно С60 получается при обоих остро отточенных электродах I = 100 - 180 А, U = 5 - 8 В, PHe = 180 Торр, но при этом содержание фуллерена ниже ~ 50 мгр/час.

Синтез углеродных нанотрубок. Дуговой разряд и лазерное испарение углеродных мишеней продемонстрировали себя как успешные методы синтеза нанотрубок в граммовых количествах. Тепловое разложение углеродных материалов в присутствии катализаторов для получения УНТ кажется более подходящим процессом для крупномасштабного синтеза.

Рис. 6.16. Схема получения фуллеренов дуговым методом:

1 - графитовые электроды; 2 - охлаждаемая водой медная шина;

3 - охлаждаемая водой поверхность, на которой осаждается угольный конденсат; 4 - пружина

Углеродные нанотрубки могут расти при различных условиях. Есть одно различие между двумя типами нанотрубок - МСУНТ растут без катализаторов, тогда как ОСУНТ растут только тогда, когда присутствует катализатор. Но в отличие от больших каталитически выращенных волокон, где концы волокна обычно декорированы частицами катализатора, концы ОСУНТ закрываются без следа катализатора. В процессе испарения и перемещения углеродных образований в среде плазмы дугового разряда нанотрубки формируются в депозитах, имеющих форму прута, которые растут со скоростью приблизительно 1 мкм/мин.

Схемы современных автоматических генераторов углеродной дуги имеют оптоэлектронный контроль конфигурации графитового электрода и спектроскопическое оборудование для диагностики плазмы. Лучший выход УНТ и наночастиц в таком процессе, начиная с испарения материала анода - приблизительно 25 вес. %.

Одностенные нанотрубки были получены впервые методом дугового разряда при использовании частиц катализатора наряду с испаряемым углеродом. В этом случае, просверливали отверстие в центре анода и заполняли его смесями металлических катализаторов и порошка графита (металл составлял 1 - 10 вес. %). Было использовано несколько катализаторов, но более высокий выход нанотрубок был получен для Ni, Co и биметаллических систем, таких как Ni-Y, Co-Ni, Co-Pt. Депозиты содержат большое количество связок, содержащих 10 - 100 ОСУНТ, наряду с аморфным углеродом и наночастицами атомов катализатора. Использование катализатора Ni-Y (4:1 пропорция) в дуговом разряде обеспечивает очень высокий выход (gt; 75 %) ОСУНТ. Полунепрерывная процедура синтеза ОСУНТ в водородном дуговом разряде со смесью 2,6 ат. % Ni, 0,7 ат. % Fe, 0,7 ат. % Co и 0,75 ат. % FeS позволяет производить более 1 г нанотрубок в час.

Другой эффективный способ производства одностенных нанотрубок основывается на использовании техники лазерного испарения (рис. 6.17). Лазерный пучок А вводится в камеру и фокусируется системой зеркал на графит-металлическую композитную мишень (Б). Инертный газ подается через отверстие (В). Продукты собираются на системе медных проволок внутри кварцевой трубы (Г), состыкованной с фильтром и откачивающим газы устройством.

Прямое лазерное испарение композита переходной металл-графит (например ^-Ni, 1 %; Ni-Y (4,2:1 %; 2:0,5 %)), составляющего электрод-

ную мишень, в гелиевой или аргоновой атмосфере в печке, нагретой приблизительно до 1200° С (или без печи, используя непрерывное облучение 250 Вт CO2-лазером с длиной волны 10,6 мкм), привело к получению одностенных нанотрубок с намного большим выходом (gt; 80 %).

Количество углерода, депонированного в виде сажи, также минимизируется при использовании двух последовательных лазерных импульсов: первый для абляции (обжатия и разогрева) углеродно-металлической смеси и второй, чтобы разрушить большие частицы в абляционной зоне и использовать их в растущих структурах нанотрубок.

ПЭМ-изображения связок ОСУНТ, произведенных методом лазерной абляции с использованием катализатора Ni:Y (2:0,5 ат. %), приведены на рис. 6.18.

Рис. 6.18. ПЭМ-изображение связок ОСУНТ, полученных с применением Ni/Y (2:0,5 ат. %) катализатора: а - формирование связок из индивидуальных ОСУНТ; б - сечение такой связки; в - слияние связок в более крупные [60]

Компоновку индивидуальных ОСУНТ в связки можно наблюдать на этом рисунке. В методах лазерной абляции и дугового разряда выход ОСУНТ был высок, когда использовался катализатор NiCo, и следовал в порядке NiCo gt; Ni ~ NiFe gt;gt; Co ~ Fe gt; Pd ~ Pt. Низкая каталитическая способность Pd и Pt как катализатора графитизации вызывает и низкую каталитическую активность в формировании ОСУНТ. Высокая растворимость Fe в углероде, приводящая к низкой температуре сегрегации частиц

Fe из C-Fe раствора, вызывает низкий выход ОСУНТ, когда использовался Fe-катализатор.

В последнее время во многих публикациях сообщалось о производстве одностенных и многостенных УНТ на затравках (рис. 6.19а) катализатора или с использованием плавающего катализатора (рис. 6.19б) методом химического разложения пара (CVD) углеродосодержащих материалов. Изменяя размер активных частиц на поверхности катализатора можно варьировать диаметром нанотрубок.

Рис. 6.19. Система пиролиза для синтеза ОСУНТ методом CСVD: а - металлоценов; б - Fe(CO)5 с ацетиленом [60]

Нанотрубки растут от различных катализаторов, помещенных в подложки, в температурном диапазоне 500 - 1200° С. Получающиеся слои могут содержать огромное количество одностенных и мультистенных

УНТ с диаметрами в диапазоне 1,5 - 20 нм. Они обычно организованы в связки размером меньше 100 нм, которые могут быть до нескольких мм в длину. Общее количество ОСУНТ в таких 40-нанометровых связках, по оценкам, составляет 600 или более.

Метод плавающего катализатора имеет преимущество намного более высокого выхода, чем метод, использующий вкрапленный катализатор, а так же обеспечивает непрерывное производство УНТ. Гексан, ацетилен, CO высокого давления (Ы1РСО), ксилен чаще всего используются в качестве углеродосодержащего материала.

Прямой синтез длинных связок упорядоченных ОСУНТ методом оптимизированной техники CCVD производится с использованием плавающего катализатора в вертикальной печи, где раствор гексана с заданной пропорцией ферроцена (0,018 г х мл-1) и тиофена (добавка серы 0,4 вес. %) вводился в реактор со скоростью 0,5 мл х мин-1 после нагревания реактора до пиролизной температуры (1150° С) с водородом как опорным газом, подаваемым со скоростью 250 мл х мин-1.

Во время такой непрерывной процедуры роста выход ОСУНТ достигает 0,5 г/час. Формирование очень длинных (до 20 см) ОСУНТ связок - уникальная особенность вертикального процесса выращивания УНТ (рис. 6.20). Как правило, ферроценоассистируемый метод разложения углеводородов (бензол, ксилен) дает возможность получать ОСУНТ при T ~ 780° С и смеси одно- и мультистенных нанотрубок при высокой температуре (gt; 1030° С). Использование тиофена способствовало увеличению выхода ОСУНТ. Как и при других процессах производства ОСУНТ, связки содержат примеси (~ 5 вес. %), состоящие из частиц Fe-катализатора и аморфного углерода. Эти связки, в общем, имеют диаметр до 0,3 мм, что больше, чем толщина человеческого волоса. Изображения с высоким разрешением от такой единичной веревки указывают, что эти связки направленных ОСУНТ организованы в двумерную треугольную решетку (рис. 6.20б). Диаметр ОСУНТ изменяется от 1,1 до 1,7 нм.

Рост широкой гаммы древоподобных углеродных структур размером с микрон, произведенных CVD-методом из метана без использования каких-либо катализаторов, наблюдался также при температуре горячей поверхности графита между 1100 и 2200° С. Осаждение углерода при специфических условиях (например, использование циклов быстрого нагревания и охлаждения) может создавать структуры с очень необычными морфологиями.

Все процедуры очистки УНТ осуществляются в определенной последовательности: предварительная фильтрация, чтобы избавиться от больших частиц графита, растворение, чтобы удалить фуллерены (в органических растворителях) и частицы катализатора (в концентрированных кислотах), микрофильтрация и хроматография, чтобы выделить отдельные МСУНТ и наночастицы или ОСУНТ и аморфные углеродные кластеры (табл. 6.2).

Рис. 6.20. Микрографические изображения типичной веревки из одностенных углеродных нанотрубок: а - СЭМ-изображение веревки, состоящей из тысяч связок нанотрубок (D = 1,1 - 1,2 нм); диаметр веревки составляет около 15 мкм; б - ПЭМ-изображение высокого разрешения сечения связок ОСУНТ, иллюстрирующее их двухмерную треугольную решетку [60]

В качестве примера вкратце обсудим процедуру очистки ОСУНТ, полученных разложением СО при высоком давлении (табл. 6.2). Исходные трубки HiPCO с низкой плотностью были физически впрессованы в сухой фильтр путем нанесения ОСУНТ на держатель фильтра при создании вакуума в камере.

Таблица 6.2

Потеря веса и концентрация металла после каждой ступени очистки

Каждая ступень окисления сопровождается обработкой в растворе концентрированной кислоты HCl в течение 1 - 15 мин. Трубки затем фильтровались и высушивались в вакуумной печи при 100° C в течение не менее 2 ч.

Процентное содержание металла соответствует процентному содержанию Fe, вычисляемое как Fe / (C + Fe) атомный процент из измерений методом гравиметрического анализа.

Общая потеря веса равняется 69,1%; общая потеря веса, исключая отжиг при 425° C, составляла 46,25%.

Вакуум помогает сосредоточить эти легкие объекты около держателя фильтра. ОСУНТ (обычно ~ 100 мг) были помещены в керамическую лодочку и вставлены в трубу кварцевой печи. Газовая смесь 20процентного O2 в Лг (можно использовать воздух) пропускалась в виде пузырей через воду и через образец при полной скорости 100 см/с. Нагрев нанотрубок до 225° С в течение 18 ч сопровождался ультразвуковой обработкой в течение ~ 15 минут или длительной обработкой (в течение ночи) в концентрированном растворе HCl. Трубки в кислотном растворе фильтровались через 1,0 мкм поры в тефлоновой мембране диаметром 47 мм и промывались несколько раз в деионизованной воде и метаноле. Производилась сушка в вакуумной духовке при 100° C минимум в течение 2 часов и взвешивание (термогравиметрическим методом). Окисление и кислотный цикл экстракции были повторены при 325° С в течение 1,5 ч и при 425° С в течение 1 ч. После высыхания в вакуумной духовке очищенные трубки были отожжены при 800° С в Ar-среде в течение 1 ч. Потеря в весе и концентрация металла после каждого шага очистки приведена в табл. Потеря веса существенно увеличивается в интервале температур от 325° С и до 425° С. Выявлено, что металлические частицы могут быть вскрыты от углеродных материалов (оболочек) при низком температурном шаге окисления во влажном Лг/02 (или влажном воздухе). По- видимому, тогда разрушается углеродная оболочка и металлические частицы преобразовываются в окись и/или гидроокись. Расширение (плотно-

3

сти для Fe и Fe203 соответственно составляют 7,86 и 5,18 г/см ) металлической частицы, из-за более низкой плотности окиси, приводит к разлому углеродной оболочки, открыванию и выявлению металла. Это явление определяется способностью HCl извлекать железо из исходного материала только в условиях влажного окисления Лг/02. Вылущенная таким образом металлическая частица впоследствии катализирует окисление других форм углерода и ОСУНТ после удаления углеродной оболочки.

Формирование массивов ориентированных углеродных нанотрубок и их тонких архитектур. Ориентированные нанотрубки могут производиться из углеродосодержащих материалов различными методами, включая: тепловую активацию или плазменное возбуждение реагентов (с или без катализаторов), нанолитографический подход и другие методы. Синтез ориентированных УНТ является очень перспективным в сравнении с лазерным или дуговым способом, так как в этом случае в продуктах синтеза отсутствуют нежелательные углеродные наноструктуры. Как уже упоминалось, химические, физические и электронные свойства УНТ зависят от их геометрии и структуры, которые определены процедурой приготовления трубок. Недавно были созданы массивы УНТ с различными ориентациями и структурой, путём регулирования таких параметров CVD- процесса выращивания, как: размер и тип катализаторов, давление реакционного газа и температура процесса. Переплетенные МСУНТ синтезировались на 8Ю2-подложках на наночастицах кобальта. Хорошо ориентированные МСУНТ были сформированы на пористом кварце с внедренными частицами железа, на кремнии, покрытым кобальтом, стекле, покрытым никелем и железом; Al2O3 и Si3N4 или кремнии путем термического CVD-метода или плазменно-усиленного CVD. ОСУНТ были выращены путем разложения газа углеводородов, таких как: CH4 или СО на моноатомных металлических катализаторах типа Fe, Co, Ni и сплавах типа Fe- Mo и Со-Мо.

Было установлено, что тип катализатора сильно влияет на диаметр, скорость роста, толщину стенок, морфологию и микроструктуру нанотрубок. Никель обеспечивает самую высокую скорость роста, наибольший диаметр и самые толстые стенки, тогда как Со приводит к самому низкому темпу роста, наименьшему диаметру и самой тонкой стенке. УНТ, катализированные Ni, имеют строгую ориентировку и самые гладкие и чистые поверхности стенок, тогда как трубки, выращенные с использованием Сокатализатора, покрыты аморфным углеродом и наночастицами его на внешней поверхности. Более тонкие пленки металла-катализатора обычно вызывают формирование меньших частиц катализатора и таким образом способствуют формированию углеродных нанотрубок с меньшим диаметром. Рост и структура УНТ сильно зависят от температуры. Эффект температуры на рост и структуру УНТ, используя CVD-процесс, был исследован в случае железа, инкорпорированного в кварц, при различных температурах от 600 до 1050° С с давлением газа в интервале от 0,6 до 760 Торр. При низком газовом давлении УНТ, выращенные при помощи CVD, полностью полы при низкой температуре и подобны бамбуковой структуре при высокой температуре процесса. Диаметр УНТ значительно увеличивается с температурой. При низком давлении газа диаметр трубок становится большим, главным образом, путем увеличения числа графитовых слоев стенок УНТ, тогда как, при высоком давлении диаметр становится большим за счет увеличения одновременно числа графитовых слоев стенки и внутреннего диаметра УНТ. Эти результаты свидетельствуют о том, что температура роста является критическим параметром при синтезе УНТ с различными структурами.

Рис. 6.21 изображает типичную экспериментальную систему для получения ориентированных УНТ с текущим катализатором.

Обширная область вертикально ориентированных УНТ синтезировалась на различных подложках пиролизом железофталоцианинов FeC32N8Hi6 (Fe Pc) в потоке Ar/H2 при 800 - 1100° C в двойной печи. Массивы ориентированных УНТ могут быть выращены на частично маскиро- ванной/предварительно структурированной поверхности или используя контактный печатный процесс. Рост углеродных нанотрубок на плоских микроструктурированных подложках Si иллюстрирован на рис. 6.22. CVD-рост осуществлялся при 800° С путем пиролиза ацетилена. Использовалась пленка Fe толщиной 30 нм с длиной сторон 5x5 мкм, 10 х 10 мкм и 20 х 20 мкм с расстоянием между рядами в 15, 20 и 30 мкм соответственно, которая наносилась на поверхность Si и играла роль катализатора для роста УНТ. Затем микроструктурированные системы вертикально ориентированных углеродных нанотрубок были выращены на плоской поверхности Si с использованием C VD-технологии. Вертикальное расположение углеродных нанотрубок обеспечивается за счет Ван-дер- Вальсовского взаимодействия между соседними УНТ.

Рис. 6.21. Аппаратура пиролиза, используемая для синтеза ориентированных УНТ методом текущего катализатора [60]

Отклонение УНТ от вертикального положения наблюдается на рисунке в тех местах, где силы Ван-дер-Ваальса не обеспечивают их ориентированного положения (края рядов). Процесс изготовления УНТ, описываемый здесь, является весьма перспективным для целей создания радиочастотных усилителей, а также электронных пушек с холодной эмиссией электронов для дисплеев различного назначения.

Чтобы управлять потоком эмиттируемых электронов используется затворный электрод. В этом случае простая и желательная структура устройства - это вертикальный диод для полевой эмиссии, содержащий углеродные нанотрубочные эмиттеры в области канавки (рис. 6.23).

Процесс создания канавок использовался для того, чтобы сформировать триодные структуры на основе УНТ, включая осаждение нескольких тонкопленочных слоев, структурирование (фотолитографическое), травление и осаждение Fe-катализатора на дно канавок. Несмотря на высокий уровень контроля процессов CVD и усиленного плазмой CVD (PECVD), для роста УНТ требуются обработки при температурах выше 500° C, что значительно ограничивает выбор возможных материалов подложки и процессов интеграции. Для плоскопанельных дисплеев и вакуумной микроэлектроники УНТ должны быть осаждены на стеклянных или полимерных основаниях при температуре ниже 300° C. Недавно это демонстрировалось на примере низкотемпературного вертикального роста (120° С) ориентированных УНТ для полевых эмиттеров на пластмассовых подложках (каптоновая полимерная пленка) и на кремнии, используя процесс PECVD.

Рис. 6.22. Рост УНТ на планарной микроструктурированной Si-подложке: а - квадратные структурированные пленки Fe с боковым размером 5 х 5 мкм и расстоянием между квадратами в 15 мкм (слева); б - картина квадратных областей с размером 10х10 мкм и расстоянием между ячейками в 20 мкм (в центре); в - изображение полос с размером 20 х 20 мкм и расстоянием

между ячейками в 30 мкм (справа)

Рис. 6.23. СЭМ-изображение системы канавок глубиной 10 мкм с углеродными нанотрубками, выращенными только на дне этих канавок: а - вид сбоку;

б - вид сверху

Измерения выхода эмиссии показывают низкое поле включения эмиссии, то есть поле, для которого j ~ 10 А/см (3,2 В/мкм) и низкое

              /Г              2

пороговое поле (4.2 В/мкм), при котором j ~ 10 А/см .

Другой многообещающий способ управлять ориентированным ростом УНТ _ это их синтез на шаблонах. Когда процесс CVD-роста выполняется, например, в порах (несколько нм в диаметре) шаблона, углеродные нанотрубки формируются в пределах каждой поры. Шаблон может быть затем растворен, вытравлен, оставляя свободно стоящим множество ориентированных УНТ. Полимеры, металлы, полупроводники и другие материалы были осаждены в поры различных шаблонов. Почти любой твердый материал может, в принципе, синтезироваться в нанопорах шаблонов. Имеется несколько доминирующих методов, обеспечивающих синтез наноструктур в шаблонах: электрохимическое осаждение, электролизное осаждение, химическая полимеризация, золь-гель осаждение и CVD- технология. Техника шаблонов позволяет создание широкого диапазона новых оптических и электронных устройств, МЭМС, биомедицинских хроматографов, датчиков, сенсоров и эффективных полевых эмиттеров.

Синтетические минеральные кристаллы, алюминофосфат AlPO4-5, аэрогели кварца, мезопористый кварц и кремний, и анодные оксиды алюминия (ААО) являются очень пористыми материалами, которые нашли широкое применение при синтезе ориентированных УНТ C VD-методом. Процедура синтеза регулярно расположенных ориентированных УНТ на пористом кремнии и на пористом ААО к настоящему времени хорошо отработана в ряде лабораторий мира. Наиболее широко сейчас используется при синтезе наноматериалов шаблон на основе ААО. Самоорганизованная мембрана анодного оксида алюминия, изготовленная при определенных электрохимических условиях, обладает пористой структурой с однородными и параллельными нанопорами (рис. 6.24).

Рис. 6.24. Вид сбоку СЭМ-изображения каналов в Al2O3 диаметром 500 нм,

заполненных серебром

Диаметры этих пор являются электрохимически настраиваемыми в диапазоне от нескольких нанометров до нескольких сотен нанометров. Это - идеальный материал шаблона для того, чтобы создать массивы ориентированных наноструктур. Получены плотности пор порядка 10 пор/см , а типичная толщина мембраны может варьироваться от 10 до 150 мкм. После того, как CVD процесс завершен, мембрана из ААО может быть химически удалена (растворена) и выявлен ансамбль свободно стоящих табулярных наноструктур с внешним диаметром, близким к размеру пор. Таким образом, используя эти мембраны, можно создать очень большие панели хорошо ориентированных УНТ, которые могут быть использованы в качестве плоскопанельных дисплеев с холодным катодом.

Использование мягких литографических методов для изготовления структурированных ориентированных массивов УНТ открывает перспективы изготовления различных наноустройств для широкого круга применений. Выращивание трехмерных архитектур углеродных нанотрубок, которые могут быть интегрированы в микроэлектронные цепи или МЭМС, все еще остается задачей будущего. Одно или двухмерные связи и/или переходы с нанотрубками были изготовлены in situ в процессе роста и последующего наноструктурирования. Однако соединение нанотрубок с подложкой и/или металлическими пленками - это до сих пор критическая проблема в реализации трехмерных приборов на основе УНТ. Примером успешной реализации такой архитектуры является выращивание МСУНТ под тонким слоем Ni, когда во время роста УНТ пленка никеля отрывается от подложки Si и остается на торцах трубок. Такое выращивание УНТ с подъемом пленки позволяет связать тонкопленочные металлические области и подложку Si через ансамбль нанотрубок, давая возможность создания трехмерных архитектур нанотрубок.

Специалисты Политехнического института в Трое (США) разработали и сформировали нанотрубочные структуры на микроструктурированных областях на кварце (SiO2) и кремниевых поверхностях. Микроструктурирование Si/SЮ2-системы было произведено с использованием стандартной фотолитографии, сопровождаемой комбинацией влажного и/или сухого травления. Шаблонный материал катализатора не использовался в этой процедуре. CVD рост УНТ диаметром 20 - 30 нм происходил путем экспозиции подложек в среде паровой смеси ксилена/ферроцена (C8H10 / Fe(C5H5)2) при 800° C. На кремнии рост УНТ не обнаруживался, однако вертикально ориентированные нанотрубки превосходно растут на SiO2 - микроструктурированных областях (рис. 6.25). Каждая из колонок состоит из нескольких десятков нанотрубок, выращенных в вертикальном направлении, перпендикулярно к SiO2 ячейкам на Si/SiO2-шаблоне. Одновременная интеграция упорядоченных структур нанотрубок по различным геометрическим направлениям на общей подложке может быть важной в изготовлении ряда микро- и наноэлектромеханических устройств.

Тот факт, что нанотрубки растут нормально к поверхности SiO2, открывает хорошие возможности одновременного роста массивов УНТ, имеющих взаимно ортогональную ориентацию и даже массивов, расположенных под углом друг к другу, например, области на поверхности кварцевой подложки, которые не ортогональны с основной поверхностью подложки.

Применение электрического поля при выращивании нанотрубок позволяет управлять их направленным ростом. Использование этого эффекта и микроструктурирование областей с твердым катализатором совместимо с современными стратегиями полупроводниковой технологии и может внести свой вклад в интеграцию нанотрубок в сложные приборные архитектуры.

Рис. 6.25. Ориентированный рост нанотрубок: а - СЭМ-изображение трех блоков цилиндрических столбиков (диаметром ~ 10 мкм) систем ориентированных УНТ; б - вертикальный и горизонтальный рост ориентированных УНТ, представленный на сечении структурированной Si/SiO2 пластины (ячейки масштаба ~ 100 мкм)

Недавно был разработан контролируемый метод (каталитическое разложение ацетилена) синтеза спиральных (катушкообразных) нанотрубок, в котором массивы ориентированных нанотрубок используются как шаблон, обеспечивающий условия асимметричного роста УНТ. Эти спиральные нанотрубки с различным шагом и диаметром катушек выявляют потенциальное использование их в наноэлектронике и наномеханике.